MT44K64M18RB-093E:A TR

MT44K64M18RB-093E:A TR是美光科技推出的一款1.125Gb容量RLDRAM 3存储器，采用64Mb x 18的并联架构。该器件旨在提供卓越的低延迟和高带宽性能，其核心时钟频率可达1067MHz，访问时间低至8ns，能够有效满足高速数据处理的实时性要求。

其工作电压范围为1.28V至1.42V，采用168-TBGA封装，支持0°C至95°C的工业级温度范围，确保了在严苛环境下的可靠性。这款有源状态的表面贴装器件，主要面向网络通信、电信基础设施以及高性能计算等对内存延迟有严格限制的应用场景。

• 型号:MT44K64M18RB-093E:A TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:168-BGA（13.5x13.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 1.125GBIT PAR 168BGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:RLDRAM 3
• 存储容量:1.125Gb
• 存储器组织:64M x 18
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:1.066 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:8 ns
• 电压 - 供电:1.28V ~ 1.42V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:168-TBGA
• 供应商器件封装:168-BGA（13.5x13.5）
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