MT29E256G08CMCABJ2-10Z:A TR是美光科技推出的一款256Gb容量NAND闪存芯片，采用并联接口与3D NAND技术。其核心卖点在于高密度存储架构（32G x 8位组织）与100MHz时钟频率支持，可在2.7V~3.6V电压范围内实现稳定的数据读写操作。
该器件采用132-VBGA表面贴装封装，工作温度范围为0°C至70°C，适用于商业级嵌入式存储应用。作为已停产器件，它为大容量、成本优化的存储需求提供了一个成熟的技术选型，尤其适合工业控制、网络设备等领域的固件与数据存储。
- 型号:MT29E256G08CMCABJ2-10Z:A TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:132-VBGA（12x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 256GBIT PAR 132VBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:256Gb
- 存储器组织:32G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:100 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:132-VBGA
- 供应商器件封装:132-VBGA（12x18）
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