MT47H128M8HQ-3:E TR是美光科技生产的一款1Gb容量DDR2 SDRAM芯片。该器件采用128M x 8位的组织架构，通过并联接口与控制器通信，其核心工作电压为1.7V至1.9V，运行时钟频率为333MHz。
该芯片可提供高达667MT/s的数据传输速率，其关键时序参数包括450ps的访问时间和15ns的写周期时间，能够满足中等带宽和低延迟应用场景的需求。产品采用60-FBGA表面贴装封装，工作温度范围为0°C至85°C，适用于广泛的商业级嵌入式系统。
- 型号:MT47H128M8HQ-3:E TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:60-FBGA（8x11.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR2
- 存储容量:1Gb
- 存储器组织:128M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:333 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:450 ps
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:60-FBGA
- 供应商器件封装:60-FBGA（8x11.5）
- 想获取MT47H128M8HQ-3:E TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
