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MICRON
MT46V64M8BN-75:D的图片

MT46V64M8BN-75:D

美光(MICRON)图标
存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
原厂封装:产品封装:60-TFBGA
优势价格,MT46V64M8BN-75:D的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT46V64M8BN-75:D的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT46V64M8BN-75:D是美光科技生产的一款512Mb容量DDR SDRAM芯片,采用64M x 8的并行架构。其核心特性包括133MHz的时钟频率,支持双倍数据速率传输,从而实现高效的数据吞吐。

该器件工作电压为2.3V~2.7V,提供750ps的快速访问时间,并采用节省空间的60-TFBGA表面贴装封装。这些参数使其适用于需要可靠、中等带宽内存解决方案的各类嵌入式与工业应用场景。

  • 制造商产品型号:MT46V64M8BN-75:D
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:托盘
  • 系列:-
  • 零件状态:停产
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - DDR
  • 存储容量:512Mb(64M x 8)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:133MHz
  • 写周期时间-字,页:15ns
  • 访问时间:750ps
  • 电压-供电:2.3V ~ 2.7V
  • 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:60-TFBGA
  • 想获取MT46V64M8BN-75:D的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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