MT29F1T208ECCBBJ4-37:B TR是美光科技生产的一款大容量并行接口NAND闪存芯片。该器件提供高达1.125Tb（144GB）的非易失性存储空间，采用并联存储器接口，并支持高达267MHz的时钟频率，旨在实现高速数据读写与海量存储的结合。
其关键参数包括2.7V至3.6V的宽电压供电范围，以及0°C至70°C的商业级工作温度。芯片采用132-VBGA表面贴装封装，适用于空间受限的设计。需要指出的是，该产品目前已处于停产状态，适用于现有系统维护或对特定库存有需求的场景。
- 型号:MT29F1T208ECCBBJ4-37:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:132-VBGA（12x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 1.125TBIT PAR 132VBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:1.125Tb
- 存储器组织:144G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:267 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:132-VBGA
- 供应商器件封装:132-VBGA（12x18）
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