MT47H512M4EB-25E:C TR是美光科技推出的一款2Gb容量DDR2 SDRAM芯片，采用512M x 4的存储结构。该器件基于DDR2技术，在1.8V典型电压下工作，支持高达400MHz的时钟频率，实现800MT/s的数据传输速率，其快速的访问时间与写周期为数据密集型应用提供了必要的高带宽支持。
芯片采用标准的并联存储器接口与60-TFBGA表面贴装封装，工作温度范围为0°C至85°C，适用于商业级嵌入式环境。其核心参数组合使其成为需要可靠、高速临时数据存储的各类网络通信与工业控制设备的理想内存解决方案。
- 型号:MT47H512M4EB-25E:C TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:60-FBGA（9x11.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR2
- 存储容量:2Gb
- 存储器组织:512M x 4
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:400 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:400 ps
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:60-TFBGA
- 供应商器件封装:60-FBGA（9x11.5）
- 想获取MT47H512M4EB-25E:C TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
