M29F800DT70M6E是美光科技生产的一款8Mb（1M x 8 / 512K x 16）并行接口NOR闪存芯片，采用44-SOIC封装。该器件提供70ns的快速访问时间和写周期时间，工作电压为标准的4.5V至5.5V，确保了在嵌入式系统中的高效、可靠的数据与代码存储性能。
其非易失性存储特性和工业级工作温度范围（-40°C至85°C）使其能够适应要求苛刻的应用环境。该芯片支持灵活的字节/字宽访问模式，便于与各类微处理器接口，主要面向需要外部程序存储、固件存储或配置数据存储的工业控制、通信及汽车电子等嵌入式领域。
- 型号:M29F800DT70M6E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:44-SO
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 8MBIT PARALLEL 44SO
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:8Mb
- 存储器组织:1M x 8，512K x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:70ns
- 访问时间:70 ns
- 电压 - 供电:4.5V ~ 5.5V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:44-SOIC（0.525，13.34mm 宽）
- 供应商器件封装:44-SO
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