MT46V64M8BN-6 L:F是美光科技推出的一款512Mbit容量DDR SDRAM存储器，采用64M x 8的位宽组织。该芯片基于双倍数据速率技术，在167MHz的时钟频率下可实现高效的数据传输。
其核心特性包括700ps的快速访问时间、2.5V标准工作电压以及0°C至70°C的商用工作温度范围。采用60-TFBGA封装，适用于表面贴装工艺，主要面向对数据带宽和存储容量有中等要求的嵌入式及网络通信应用场景。
- 型号:MT46V64M8BN-6 L:F
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:60-FBGA（10x12.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR
- 存储容量:512Mb
- 存储器组织:64M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:167 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:700 ps
- 电压 - 供电:2.3V ~ 2.7V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:60-TFBGA
- 供应商器件封装:60-FBGA（10x12.5）
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