MT29C4G96MAZBACKD-5 E WT TR

MT29C4G96MAZBACKD-5 E WT TR是美光科技的一款4Gb复合存储器，采用137-TFBGA封装。该芯片集成了4Gb NAND闪存（256M x 16）与4Gb移动LPDRAM（128M x 32）于一体，构成一个紧凑的多芯片封装解决方案。

其NAND闪存提供非易失性数据存储，而LPDRAM部分支持高达200MHz的时钟频率，通过并联接口确保高速数据访问。芯片工作电压为1.7V至1.95V，工作温度范围为-25°C至85°C，专为满足移动和嵌入式应用对低功耗、小尺寸及宽温运行的严格要求而设计。

• 型号:MT29C4G96MAZBACKD-5 E WT TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:137-TFBGA（10.5x13）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH RAM 4GBIT PAR 137TFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失性，易失性
• 存储器格式:FLASH，RAM
• 技术:闪存 - NAND，移动 LPDRAM
• 存储容量:4Gb（NAND），4Gb（LPDRAM）
• 存储器组织:256M x 16（NAND），128M x 32（LPDRAM）
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:200 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-25°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:137-TFBGA
• 供应商器件封装:137-TFBGA（10.5x13）
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