M28W640HST70ZA6E

M28W640HST70ZA6E是美光科技生产的一款64Mb（4M x 16位）并行NOR闪存芯片，采用64-VFBGA表面贴装封装。该器件提供非易失性数据存储，支持在2.7V至3.6V电压范围内工作，并具备-40°C至85°C的宽工业级工作温度范围，确保在恶劣环境下的稳定运行。

其核心特性包括70ns的快速访问时间和写周期时间，这使其能够高效支持微处理器的直接代码执行（XIP），满足实时性要求高的应用需求。芯片采用标准的异步和页模式读操作接口，简化了与主处理器的连接。虽然该型号目前已停产，但其成熟的性能和可靠性使其在工业控制、网络通信及汽车电子等嵌入式存储领域曾扮演重要角色。

• 型号:M28W640HST70ZA6E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:64-TFBGA（10.5x6.39）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 64MBIT PARALLEL 64TFBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:64Mbit
• 存储器组织:4M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:70ns
• 访问时间:70 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:64-TFBGA
• 供应商器件封装:64-TFBGA（10.5x6.39）
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