MT46V64M4BG-6:GTR

MT46V64M4BG-6:GTR是美光科技推出的一款256Mb（64M x 4）容量DDR SDRAM芯片，采用60-FBGA表面贴装封装。该器件基于并联接口的DRAM技术，核心卖点在于其167MHz时钟频率下的DDR操作，可实现高达333MT/s的数据传输速率，配合700ps的快速访问时间，能够有效满足对数据带宽和响应速度有较高要求的应用场景。

该芯片工作电压范围为2.3V至2.7V，支持0°C至70°C的商业温度范围，在提供高性能的同时兼顾了功耗控制与环境适应性。其15ns的写周期时间进一步保障了数据写入的效率。作为一款已停产的器件，它主要适用于现有产品线的维护或对特定物料有长期需求的嵌入式及工业控制系统设计。

• 制造商产品型号：MT46V64M4BG-6:GTR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - DDR
• 存储容量：256Mb（64M x 4）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：167MHz
• 写周期时间-字，页：15ns
• 访问时间：700ps
• 电压-供电：2.3V ~ 2.7V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：60-FBGA
• 想获取MT46V64M4BG-6:GTR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料