MT29F1G08ABBEAH4:E是美光科技生产的一款1Gb容量并行接口NAND闪存芯片，采用63-VFBGA封装。该器件基于非易失性闪存技术，存储结构为128M x 8位，工作电压范围1.7V至1.95V，支持商业级温度范围（0°C至70°C），适用于表面贴装装配。
其核心特性包括标准的并行存储器接口，可实现与主控制器的高速数据交换；以及成熟的NAND架构，提供可靠的页编程和块擦除功能。该芯片主要面向需要中等密度、稳定非易失存储解决方案的嵌入式应用。
- 型号:MT29F1G08ABBEAH4:E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA（9x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:1Gb
- 存储器组织:128M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-VFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
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