MT47H512M4THN-37E:E TR是美光科技生产的一款2Gb容量DDR2 SDRAM芯片，采用512M x 4的存储单元组织架构。该器件在267MHz的时钟频率下工作，实现533MT/s的数据传输速率，其500ps的快速访问时间和1.7V~1.9V的低工作电压范围，平衡了性能与能效需求。
该芯片采用63-FBGA表面贴装封装，支持0°C至85°C的工业级工作温度，并通过并行接口提供稳定的数据吞吐。其技术参数使其适用于对带宽和可靠性有持续要求的嵌入式系统及网络通信设备，作为系统中的主存储器或缓存单元。
- 型号:MT47H512M4THN-37E:E TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-FBGA（8x10）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 2GBIT PAR 63FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR2
- 存储容量:2Gb
- 存储器组织:512M x 4
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:267 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:500 ps
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-TFBGA
- 供应商器件封装:63-FBGA（8x10）
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