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MICRON
MT29F64G08CBCGBL04A3WC1-R的图片

MT29F64G08CBCGBL04A3WC1-R

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC FLASH 64GBIT PARALLEL DIE
原厂封装:封装:模具
优势价格,MT29F64G08CBCGBL04A3WC1-R的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT29F64G08CBCGBL04A3WC1-R的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT29F64G08CBCGBL04A3WC1-R是美光科技推出的一款64Gb容量、基于并行接口的NAND闪存芯片。它采用非易失性存储技术,提供8位宽数据总线,工作电压为2.7V至3.6V,适用于0°C至70°C的商业温度环境。

该器件的核心优势在于其大容量存储架构与稳定的并行接口设计,能够满足需要持续数据读写的嵌入式存储需求。其散装包装形式便于规模化生产集成,是工业控制、网络设备及消费电子等领域中高性价比的存储解决方案。

  • 型号:MT29F64G08CBCGBL04A3WC1-R
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:模具
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC FLASH 64GBIT PARALLEL DIE
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:闪存 - NAND
  • 存储容量:64Gb
  • 存储器组织:8G x 8
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:-
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:模具
  • 供应商器件封装:模具
  • 想获取MT29F64G08CBCGBL04A3WC1-R的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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