MT46V32M16CY-5B AAT:J TR是美光科技生产的一款512Mb容量DDR SDRAM芯片，采用32M x 16位的并行架构。该器件基于DDR技术，核心时钟频率为200MHz，实现了高速数据传输，其访问时间低至700ps，确保了快速的数据响应能力。
芯片工作电压为2.3V至2.7V，并支持-40°C至105°C的宽工业温度范围，适用于环境严苛的应用。其采用60-TFBGA表面贴装封装，提供了紧凑的物理尺寸和可靠的连接性。这些特性使其成为工业控制、网络通信和汽车电子等领域中，需要高带宽、高可靠性存储解决方案的理想选择。
- 型号:MT46V32M16CY-5B AAT:J TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:60-FBGA（8x12.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR
- 存储容量:512Mb
- 存储器组织:32M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:200 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:700 ps
- 电压 - 供电:2.3V ~ 2.7V
- 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q100
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:60-TFBGA
- 供应商器件封装:60-FBGA（8x12.5）
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