NAND256R3A2BZA6E

NAND256R3A2BZA6E是美光科技生产的一款256Mb容量并行NAND闪存芯片，采用32M x 8位的组织结构。该器件基于标准的异步并行接口，提供高效的数据传输路径，其核心优势在于50ns的快速访问时间和页写周期，能够显著提升数据存取效率。

芯片工作电压范围为1.7V至1.95V，针对低功耗应用进行了优化，并支持-40°C至85°C的宽温工作范围，适用于工业及扩展商业环境。其55-TFBGA表面贴装封装提供了紧凑的占板面积，适合空间受限的嵌入式设计，是一款面向需要可靠、快速非易失存储解决方案的经典器件。

• 制造商产品型号：NAND256R3A2BZA6E
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLSH 256MBIT PARALLEL 55VFBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：托盘
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：256Mb（32M x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：50ns
• 访问时间：50ns
• 电压-供电：1.7V ~ 1.95V
• 工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：55-TFBGA
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