MT29F2G08ABBEAH4:E 是美光科技生产的一款2Gb容量NAND闪存芯片，采用并联接口和63-VFBGA封装。其核心卖点在于256M x 8位的存储组织和1.7V ~ 1.95V的宽电压供电范围，这为低功耗嵌入式设计提供了灵活性。
作为一款非易失性存储器，它适用于需要可靠数据存储的各类表面贴装型电子设备。其技术参数定义了其在商业温度范围（0°C ~ 70°C）内的稳定工作能力，是构建中等容量存储解决方案的成熟选择。
- 型号:MT29F2G08ABBEAH4:E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA（9x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:2Gb
- 存储器组织:256M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-VFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
- 想获取MT29F2G08ABBEAH4:E的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
