MT46V32M16BN-5B:F 是美光科技生产的一款512Mb容量DDR SDRAM芯片，采用32M字 x 16位的组织架构。该器件基于并联接口，时钟频率为200MHz，可实现高达400MT/s的数据传输速率，其700ps的访问时间与15ns的写周期时间确保了高速数据读写的响应能力。
芯片工作在2.5V至2.7V电压范围内，采用60-TFBGA表面贴装封装，工作温度覆盖0°C至70°C的商业级范围。这些特性使其成为对存储带宽和实时性有明确要求的嵌入式系统的理想选择，能够为网络、工业控制及消费电子设备提供可靠的高速数据存储解决方案。
- 型号:MT46V32M16BN-5B:F
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:60-FBGA（10x12.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR
- 存储容量:512Mb
- 存储器组织:32M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:200 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:700 ps
- 电压 - 供电:2.5V ~ 2.7V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:60-TFBGA
- 供应商器件封装:60-FBGA（10x12.5）
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