MT29F1T08CMHBBJ4-3R:B TR是美光科技生产的一款1Tb容量NAND闪存芯片，采用并行接口和132-VBGA封装。其核心架构提供128G x 8位的组织方式，在2.5V至3.6V电压和0°C至70°C温度范围内工作，支持表面贴装安装。
该器件的关键特性在于其333MHz的高时钟频率并联接口，能够实现高速数据吞吐，满足对大容量、高性能非易失存储的需求。其技术基于闪存-NAND，适用于需要稳定、大容量数据存储的各类电子系统。
- 型号:MT29F1T08CMHBBJ4-3R:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:132-VBGA（12x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 1TBIT PARALLEL 132VBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:1Tb
- 存储器组织:128G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:333 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.5V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:132-VBGA
- 供应商器件封装:132-VBGA（12x18）
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