MT46V128M4P-6T:F TR

MT46V128M4P-6T:F TR是美光科技生产的一款512Mb容量DDR SDRAM芯片，采用128M x 4的并行架构。该器件在167MHz时钟频率下运行，支持在时钟双沿传输数据，有效提升数据传输率，其核心访问时间为700ps，写周期时间为15ns，确保了快速的数据读写性能。

芯片工作电压为2.3V至2.7V，具备低功耗特性，采用66-TSSOP表面贴装封装，适用于高密度PCB板设计。其工作温度范围为0°C至70°C，主要面向商业级应用环境。该产品为卷带包装，目前已停产，适用于需要特定容量与接口的存量设备维护或特定项目设计。

• 制造商产品型号：MT46V128M4P-6T:F TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - DDR
• 存储容量：512Mb（128M x 4）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：167MHz
• 写周期时间-字，页：15ns
• 访问时间：700ps
• 电压-供电：2.3V ~ 2.7V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：66-TSSOP (szeroko 0，400，10，16mm)
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