MT29E1T08CMHBBJ4-3ES:B TR

MT29E1T08CMHBBJ4-3ES:B TR是美光科技生产的一款1Tb容量NAND闪存芯片，采用并行接口和3D NAND技术。其核心卖点在于高存储密度（128G x 8位组织）和333MHz的高速时钟频率，能够满足大数据量应用的带宽需求。

该器件工作电压范围为2.5V至3.6V，支持0°C至70°C的工业温度环境，确保了在多变条件下的稳定运行。其132-VBGA表面贴装封装以卷带形式提供，适合自动化生产，主要针对企业存储、数据中心及高性能嵌入式系统等需要可靠、大容量非易失存储的解决方案。

• 制造商产品型号：MT29E1T08CMHBBJ4-3ES:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 1TB PARALLEL 132VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：1Tb（128G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：333MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.5V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：132-VBGA
• 想获取MT29E1T08CMHBBJ4-3ES:B TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料