MT29F2T08EMHBFJ4-R:B TR

MT29F2T08EMHBFJ4-R:B TR是美光科技推出的一款高密度NAND闪存解决方案，采用并联接口和TLC（Triple-Level Cell）技术，单片存储容量高达2Tb（256GB）。该芯片以非易失方式存储数据，工作电压范围为1.7V至1.95V，支持商业温度范围（0°C至70°C）下的稳定运行。

其核心优势在于将巨大的存储密度集成于132-VBGA封装内，通过8位并行数据总线实现高效数据传输，适用于对存储空间有苛刻要求的嵌入式系统。作为一款有源器件，它以卷带形式提供，便于自动化表面贴装生产，是构建大容量、经济型数据存储模块的理想选择。

• 制造商产品型号：MT29F2T08EMHBFJ4-R:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 2TB PARALLEL 132VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：FLASH - NAND（TLC）
• 存储容量：2Tb（256G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：1.7V ~ 1.95V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：132-VBGA
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