M29W320EB70ZE6E是美光科技推出的一款32Mb（4M x 8 / 2M x 16）并行NOR闪存芯片，采用48-TFBGA封装。该器件基于NOR闪存技术，提供非易失性数据存储，支持灵活的字节或字宽访问模式，便于与各类微处理器接口。
其核心性能参数包括70ns的快速访问与写周期时间，以及2.7V至3.6V的宽电压供电范围，确保高效的数据读写操作和良好的电源兼容性。该芯片设计用于在-40°C至85°C的工业级温度范围内稳定工作，并通过并行接口实现直接、高速的内存映射访问，适用于对代码执行速度和数据可靠性有严格要求的嵌入式系统。
- 型号:M29W320EB70ZE6E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:48-TFBGA（6x8）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48TFBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:32Mb
- 存储器组织:4M x 8，2M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:70ns
- 访问时间:70 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:48-TFBGA
- 供应商器件封装:48-TFBGA（6x8）
- 想获取M29W320EB70ZE6E的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
