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MICRON
MT46V128M4CY-5B:J的图片

MT46V128M4CY-5B:J

美光(MICRON)图标
存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
原厂封装:产品封装:60-TFBGA
优势价格,MT46V128M4CY-5B:J的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT46V128M4CY-5B:J的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT46V128M4CY-5B:J是美光科技生产的一款512Mb容量DDR SDRAM存储器,采用128M x 4位的组织架构。该芯片基于DDR技术,在200MHz的时钟频率下可实现高效的双沿数据传输,其700ps的快速访问时间和15ns的写周期时间保障了系统的响应速度。

器件采用标准的2.5V~2.7V供电,工作温度范围为0°C至70°C,并通过60-TFBGA表面贴装封装提供紧凑的物理解决方案。其并联接口和可配置的时序参数使其能够灵活集成到需要中等带宽和容量的嵌入式系统中。

  • 制造商产品型号:MT46V128M4CY-5B:J
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:托盘
  • 系列:-
  • 零件状态:停产
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - DDR
  • 存储容量:512Mb(128M x 4)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:200MHz
  • 写周期时间-字,页:15ns
  • 访问时间:700ps
  • 电压-供电:2.5V ~ 2.7V
  • 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:60-TFBGA
  • 想获取MT46V128M4CY-5B:J的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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