MT29F4G08ABAFAH4-AATES:F

MT29F4G08ABAFAH4-AATES:F是美光科技推出的一款4Gb（512M x 8）容量、采用并行接口的NAND闪存芯片。该器件基于非易失性闪存技术，可在2.7V至3.6V的电压范围内工作，确保与多种系统电源方案的兼容性。

其核心优势在于卓越的环境适应性，工作温度范围覆盖-40°C至105°C，并且通过了AEC-Q100汽车级认证，满足汽车电子对高可靠性和长寿命的严格要求。芯片采用63-VFBGA紧凑型封装，适用于表面贴装工艺，为空间敏感的设计提供了高密度存储解决方案。

• 制造商产品型号：MT29F4G08ABAFAH4-AATES:F
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：托盘
• 系列：Automotive, AEC-Q100
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：4Gb（512M x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：-40°C ~ 105°C（TC）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：63-VFBGA
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