MT29F512G08CMCEBJ4-37ITR:E TR是美光科技生产的一款512Gb容量NAND闪存芯片。它采用MLC NAND技术和并联接口，时钟频率可达267MHz，实现了高密度存储与高速数据访问的平衡，适用于需要大带宽数据处理的应用。
该器件工作电压为2.7V至3.6V，并支持-40°C至85°C的工业级宽温范围，确保了在恶劣环境下的稳定性和可靠性。其132-VBGA表面贴装封装形式，便于高密度PCB设计集成和自动化生产。
- 型号:MT29F512G08CMCEBJ4-37ITR:E TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:132-VBGA（12x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 512GBIT PAR 132VBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NAND（MLC）
- 存储容量:512Gb
- 存储器组织:64G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:267 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:132-VBGA
- 供应商器件封装:132-VBGA（12x18）
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