MT29F1G16ABBEAHC:E TR

MT29F1G16ABBEAHC:E TR是美光科技生产的一款1Gb容量NAND闪存芯片，采用64M x 16位的并行架构。该器件工作电压为1.7V至1.95V，适用于低功耗嵌入式系统，其商业级工作温度范围（0°C至70°C）保障了在常见环境下的可靠性。

芯片采用63-VFBGA封装和表面贴装形式，搭配卷带包装，便于自动化生产。其并行接口提供了直接、高效的数据传输路径，适合与各类微控制器或处理器连接，用于存储固件、配置参数或用户数据。需要注意的是，此型号目前已停产，建议在设计中评估替代方案。

• 型号:MT29F1G16ABBEAHC:E TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（10.5x13）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:64M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（10.5x13）
• 想获取MT29F1G16ABBEAHC:E TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料