MT46V128M4BN-6:D TR

MT46V128M4BN-6:D TR是美光科技生产的一款512Mb容量DDR SDRAM芯片，采用128M x 4位的组织架构。该器件基于DDR技术，核心时钟频率为167MHz，可实现每数据引脚333MT/s的数据传输速率，为系统提供高效的数据吞吐能力。

其关键参数包括700ps的快速访问时间、15ns的写周期时间以及2.3V至2.7V的低工作电压范围，在性能和功耗之间取得了良好平衡。芯片采用60-TFBGA表面贴装封装，工作温度范围为0°C至70°C，适用于广泛的商业级嵌入式应用。

• 制造商产品型号：MT46V128M4BN-6:D TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - DDR
• 存储容量：512Mb（128M x 4）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：167MHz
• 写周期时间-字，页：15ns
• 访问时间：700ps
• 电压-供电：2.3V ~ 2.7V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：60-TFBGA
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