MT53B256M32D1GZ-062 WT ES:B TR

MT53B256M32D1GZ-062 WT ES:B TR是美光科技生产的一款8Gb容量移动LPDDR4 SDRAM。该器件采用256M x 32位的组织结构，运行时钟频率高达1600MHz，可提供优异的数据吞吐性能，满足现代移动设备对高速数据访问的需求。

其核心优势在于1.1V的低工作电压，这直接转化为更低的动态功耗，特别适合电池驱动的便携式设备。器件采用200-WFBGA表面贴装封装，兼具小尺寸与良好的电气连接特性。其宽泛的-30°C至85°C工作温度范围，进一步确保了在各类环境条件下的稳定性和可靠性。

• 制造商产品型号：MT53B256M32D1GZ-062 WT ES:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 8GBIT 1600MHZ 200WFBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量：8Gb（256M x 32）
• 存储器接口：-
• 时钟频率：1600MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：1.1V
• 工作温度：-30°C ~ 85°C（TC）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：200-WFBGA
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