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MT53B512M64D4NK-053 WT ES:C TR的图片

MT53B512M64D4NK-053 WT ES:C TR

美光(MICRON)图标
存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 32GBIT 1866MHZ 366WFBGA
原厂封装:产品封装:366-WFBGA
优势价格,MT53B512M64D4NK-053 WT ES:C TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT53B512M64D4NK-053 WT ES:C TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT53B512M64D4NK-053 WT ES:C TR是美光科技推出的一款32Gb容量、采用LPDDR4技术的移动SDRAM芯片。该器件以512M x 64的存储结构为核心,在1866MHz的高时钟频率下运行,能够提供出色的数据传输带宽,显著提升系统处理速度。

其设计重点在于平衡性能与功耗,核心工作电压低至1.1V,并支持-30°C至85°C的宽温工作范围,这使其特别适用于对能效和可靠性有严苛要求的移动及嵌入式应用。芯片采用紧凑的366-WFBGA表面贴装封装,便于在空间受限的现代电子设备中进行高密度集成。

  • 制造商产品型号:MT53B512M64D4NK-053 WT ES:C TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC DRAM 32GBIT 1866MHZ 366WFBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:32Gb(512M x 64)
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:1866MHz
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:1.1V
  • 工作温度:-30°C ~ 85°C(TC)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:366-WFBGA
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