MT46V64M8CY-5B L:J TR是美光科技生产的一款512Mb容量DDR SDRAM芯片，采用64M x 8位的组织架构。该器件基于DDR技术，在200MHz的时钟频率下运行，通过在每个时钟周期的上升沿和下降沿传输数据，实现了高效的数据吞吐率。
芯片采用2.5V至2.7V供电，访问时间为700ps，写周期时间为15ns，性能参数针对主流嵌入式应用进行了优化。其采用60-TFBGA表面贴装封装，工作温度范围为0°C至70°C，适用于商业级环境。该器件提供并联存储器接口，便于与各类微处理器和控制器连接。
- 型号:MT46V64M8CY-5B L:J TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:60-FBGA（8x12.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR
- 存储容量:512Mb
- 存储器组织:64M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:200 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:700 ps
- 电压 - 供电:2.5V ~ 2.7V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:60-TFBGA
- 供应商器件封装:60-FBGA（8x12.5）
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