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MICRON
MT46H64M16LFBF-5 AIT:B TR的图片

MT46H64M16LFBF-5 AIT:B TR

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60VFBGA
原厂封装:封装:60-VFBGA(8x9)
优势价格,MT46H64M16LFBF-5 AIT:B TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT46H64M16LFBF-5 AIT:B TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT46H64M16LFBF-5 AIT:B TR是美光科技生产的一款1Gb容量、16位宽度的移动低功耗DDR SDRAM。该器件采用并联接口,时钟频率达200MHz,并以5ns的快速访问时间和15ns的写周期时间,为系统提供了高效的数据吞吐能力。

其核心卖点在于专为移动和嵌入式应用优化的低功耗设计,工作电压范围为1.7V至1.95V,并支持-40°C至85°C的宽工作温度范围。采用60-VFBGA小型化封装,适用于对空间和功耗有严格要求的紧凑型电子设备。

  • 型号:MT46H64M16LFBF-5 AIT:B TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:60-VFBGA(8x9)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60VFBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:最后售卖
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - 移动 LPDDR
  • 存储容量:1Gb
  • 存储器组织:64M x 16
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:200 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:15ns
  • 访问时间:5 ns
  • 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q100
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:60-VFBGA
  • 供应商器件封装:60-VFBGA(8x9)
  • 想获取MT46H64M16LFBF-5 AIT:B TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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