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MICRON
MT29F4T08EULCEM4-R:C的图片

MT29F4T08EULCEM4-R:C

美光(MICRON)图标
存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC FLASH 4TB PARALLEL
原厂封装:产品封装:-
优势价格,MT29F4T08EULCEM4-R:C的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT29F4T08EULCEM4-R:C的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT29F4T08EULCEM4-R:C是美光科技生产的一款4Tb(512GB)大容量并行接口NAND闪存芯片。该芯片采用TLC(3位每单元)NAND技术,以512G x 8位的内部结构实现高密度数据存储,属于非易失性存储器,断电后数据不会丢失。

其核心特性包括2.7V至3.6V的宽工作电压范围,确保了良好的电源适应性,以及0°C至70°C的商业级工作温度范围,保障了常规环境下的可靠性。该器件通过并行接口提供高速数据传输能力,主要针对需要处理海量数据的应用场景。

作为一款有源且持续供应的产品,MT29F4T08EULCEM4-R:C为数据中心、企业存储、高端固态硬盘及其他密集型存储应用提供了高容量、非易失的存储解决方案。

  • 制造商产品型号:MT29F4T08EULCEM4-R:C
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC FLASH 4TB PARALLEL
  • 产品系列:存储器
  • 包装:散装
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:FLASH - NAND(TLC)
  • 存储容量:4Tb(512G x 8)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:-
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
  • 安装类型:-
  • 产品封装:-
  • 想获取MT29F4T08EULCEM4-R:C的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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