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MICRON
MT41K64M16TW-107 AAT:J TR的图片

MT41K64M16TW-107 AAT:J TR

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA
原厂封装:封装:96-FBGA(8x14)
优势价格,MT41K64M16TW-107 AAT:J TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT41K64M16TW-107 AAT:J TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT41K64M16TW-107 AAT:J TR 是美光科技推出的一款1Gb容量DDR3L SDRAM存储器,采用64M x 16位组织架构。该器件核心优势在于其汽车级(AEC-Q100)可靠性认证高性能低功耗的平衡设计。其在933MHz时钟频率下可实现高速数据吞吐,同时1.283V~1.45V的低工作电压范围显著降低了系统功耗。

该芯片专为严苛环境设计,支持-40°C至105°C的宽工作温度范围,确保在汽车及工业应用中的长期稳定运行。其采用96-TFBGA小型化封装,适合空间受限的嵌入式设计。这些特性使其成为要求高可靠性、高带宽和低功耗的汽车电子与工业控制系统的理想内存解决方案。

  • 型号:MT41K64M16TW-107 AAT:J TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:96-FBGA(8x14)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - DDR3L
  • 存储容量:1Gb
  • 存储器组织:64M x 16
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:933 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:20 ns
  • 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
  • 工作温度:-40°C ~ 105°C(TC)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q100
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:96-TFBGA
  • 供应商器件封装:96-FBGA(8x14)
  • 想获取MT41K64M16TW-107 AAT:J TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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