MT46H256M32L4JV-6 WT:B TR是美光科技推出的一款8Gb容量移动LPDDR SDRAM，采用256M x 32位的存储结构。该器件基于并联接口，在166MHz时钟频率下工作，提供高速数据访问能力，其访问时间低至5ns，写周期时间为15ns，确保了高效的数据处理性能。
该芯片设计注重能效与可靠性，核心供电电压范围为1.7V至1.95V，有效降低了系统功耗。其工作温度范围覆盖-25°C至85°C，并采用168-VFBGA紧凑型封装，适合表面贴装，满足各类嵌入式及移动应用对空间、功耗和环境适应性的严苛要求。
- 型号:MT46H256M32L4JV-6 WT:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:168-VFBGA（12x12）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 8GBIT PARALLEL 168VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - 移动 LPDDR
- 存储容量:8Gb
- 存储器组织:256M x 32
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:166 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:5 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:-25°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:168-VFBGA
- 供应商器件封装:168-VFBGA（12x12）
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