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MICRON
EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D的图片

EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA
原厂封装:封装:134-FBGA(10x11.5)
优势价格,EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D是美光科技生产的一款4Gb容量移动LPDDR2 SDRAM芯片。该器件采用128M x 32位的组织架构和并行接口,核心时钟频率为533MHz,通过双倍数据率技术实现高效数据传输。

其关键特性包括宽电压工作范围(1.14V~1.95V),有助于系统进行动态功耗管理;同时具备-40°C至105°C的宽工作温度范围,满足严苛环境下的可靠性要求。芯片采用134-WFBGA小型化封装,适用于空间紧凑的嵌入式与移动设计。

  • 型号:EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:134-FBGA(10x11.5)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2
  • 存储容量:4Gb
  • 存储器组织:128M x 32
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:533 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.14V ~ 1.95V
  • 工作温度:-40°C ~ 105°C(TC)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:134-WFBGA
  • 供应商器件封装:134-FBGA(10x11.5)
  • 想获取EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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