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MICRON
MT46H16M32LFCM-6:B TR的图片

MT46H16M32LFCM-6:B TR

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
原厂封装:封装:90-VFBGA(10x13)
优势价格,MT46H16M32LFCM-6:B TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT46H16M32LFCM-6:B TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT46H16M32LFCM-6:B TR 是美光科技推出的一款512Mb容量移动LPDDR SDRAM,采用16M x 32的组织架构。该器件基于低功耗双倍数据率技术,在166MHz时钟频率下可实现333MT/s的有效数据传输率,其1.7V至1.95V的低工作电压范围专为优化移动和嵌入式设备的能效而设计。

该芯片提供32位宽的并联接口,关键时序参数如5ns的访问时间和15ns的写周期时间,保障了高速数据读写的可靠性。其采用90-VFBGA小型化封装,适用于空间紧凑的表面贴装设计。综合来看,这款存储器适用于要求低功耗、中等带宽和高集成度的商业级嵌入式应用。

  • 型号:MT46H16M32LFCM-6:B TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:90-VFBGA(10x13)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - 移动 LPDDR
  • 存储容量:512Mb
  • 存储器组织:16M x 32
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:166 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:15ns
  • 访问时间:5 ns
  • 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:90-VFBGA
  • 供应商器件封装:90-VFBGA(10x13)
  • 想获取MT46H16M32LFCM-6:B TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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