M29W400DB70ZE6E是Micron Technology生产的一款4Mb并行NOR闪存存储器。该器件采用48-TFBGA封装，提供512K x 8位或256K x 16位的存储容量配置，支持灵活的字节/字访问模式，其70ns的快速访问时间能满足处理器对代码直接执行的性能需求。
芯片工作电压为2.7V至3.6V，兼容标准的3.3V系统，并具备-40°C至85°C的工业级工作温度范围，确保了在恶劣环境下的数据可靠性与稳定性。其标准的并行接口简化了与主控器的连接，适用于需要可靠非易失性存储的嵌入式应用。
- 型号:M29W400DB70ZE6E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:48-TFBGA（6x9）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 4MBIT PARALLEL 48TFBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:4Mb
- 存储器组织:512K x 8，256K x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:70ns
- 访问时间:70 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:48-TFBGA
- 供应商器件封装:48-TFBGA（6x9）
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