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MICRON
MT47H32M16HR-25E AIT:G TR的图片

MT47H32M16HR-25E AIT:G TR

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
原厂封装:封装:84-FBGA(8x12.5)
优势价格,MT47H32M16HR-25E AIT:G TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT47H32M16HR-25E AIT:G TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT47H32M16HR-25E AIT:G TR是美光科技生产的一款512Mb容量DDR2 SDRAM芯片,采用32M x 16位的组织架构。该器件基于并联接口,运行时钟频率为400MHz,实现高达800Mbps/pin的数据速率,其400ps的访问时间和15ns的写周期时间保证了高效的数据处理能力。

该芯片工作电压为1.7V至1.9V,采用84-TFBGA封装,支持表面贴装,并能在-40°C至95°C的宽温度范围内稳定工作,适用于要求高可靠性的工业与嵌入式环境。其设计符合DDR2标准,为需要确定性和高带宽内存解决方案的应用提供了核心支持。

  • 型号:MT47H32M16HR-25E AIT:G TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:84-FBGA(8x12.5)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - DDR2
  • 存储容量:512Mb
  • 存储器组织:32M x 16
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:400 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:15ns
  • 访问时间:400 ps
  • 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
  • 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q100
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:84-TFBGA
  • 供应商器件封装:84-FBGA(8x12.5)
  • 想获取MT47H32M16HR-25E AIT:G TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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