MT45W4MW16BFB-706 L WT TR 是美光科技生产的一款64Mb（4M x 16位）并行接口PSRAM存储器。该器件采用1.8V核心电压供电，提供70ns的快速访问时间，并通过内部集成刷新逻辑，实现了类似SRAM的简易接口，无需外部刷新控制，显著简化了系统内存设计。
其54-VFBGA小型化封装和表面贴装类型适合高密度PCB布局，工作温度范围覆盖-30°C至85°C，确保了在工业级应用环境下的稳定性和耐用性。这款PSRAM为需要中等容量、高速且易于管理的工作内存的嵌入式应用提供了可靠的解决方案。
- 型号:MT45W4MW16BFB-706 L WT TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:54-VFBGA（6x9）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC PSRAM 64MBIT PARALLEL 54VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:南皇电子 停止提供
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:PSRAM
- 技术:PSRAM（伪 SRAM）
- 存储容量:64Mbit
- 存储器组织:4M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:70ns
- 访问时间:70 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:54-VFBGA
- 供应商器件封装:54-VFBGA（6x9）
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