MT41K512M8DA-107:P TR是美光科技生产的一款4Gb容量、采用DDR3L标准的并行接口SDRAM。该器件核心优势在于其低电压操作（1.283V-1.45V）与高时钟频率（933MHz）的结合，在提供高达1866 MT/s数据速率的同时，显著优化了系统整体功耗。
其512M x 8位的组织架构和78-TFBGA小型化封装，为空间受限的设计提供了高密度存储解决方案。该芯片支持宽温工作范围（0°C至95°C结温）并具备完整的DDR3L功能集，包括片上终结（ODT），确保了在严苛环境下的可靠性和信号完整性，适用于各类对性能、功耗和可靠性有综合要求的嵌入式及网络应用。
- 型号:MT41K512M8DA-107:P TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:78-FBGA（8x10.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3L
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:512M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:933 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:20 ns
- 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:78-TFBGA
- 供应商器件封装:78-FBGA（8x10.5）
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