M29F800AB70M1是美光科技生产的一款8Mb（1M x 8/512K x 16）并行NOR闪存芯片，采用44-SOIC表面贴装封装。该器件基于成熟的NOR技术，提供非易失性数据存储，核心优势在于其70ns的快速访问与写入速度，以及标准的5V（4.5V-5.5V）工作电压，确保了在嵌入式系统中的高效、稳定运行。
其灵活的x8或x16数据总线配置，使其能够无缝适配多种微处理器架构。芯片适用于0°C至70°C的商业温度环境，主要面向需要可靠存储引导代码、应用程序或关键参数的工业控制、通信设备及汽车电子等传统嵌入式领域。
- 型号:M29F800AB70M1
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:44-SO
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 8MBIT PARALLEL 44SO
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:8Mb
- 存储器组织:1M x 8，512K x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:70ns
- 访问时间:70 ns
- 电压 - 供电:4.5V ~ 5.5V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:44-SOIC（0.525，13.34mm 宽）
- 供应商器件封装:44-SO
- 想获取M29F800AB70M1的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
