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MICRON
MT45W4MW16BBB-706 L WT TR的图片

MT45W4MW16BBB-706 L WT TR

美光(MICRON)图标
存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC PSRAM 64MBIT PARALLEL 54VFBGA
原厂封装:产品封装:54-VFBGA
优势价格,MT45W4MW16BBB-706 L WT TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT45W4MW16BBB-706 L WT TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT45W4MW16BBB-706 L WT TR是一款由美光科技制造的64Mb并行接口PSRAM存储器。该芯片采用4M x 16位的存储结构,提供16位数据总线宽度,访问时间和写周期时间均为70ns,能够满足对数据吞吐有实时性要求的应用。

其核心优势在于结合了DRAM的高密度与SRAM的接口简便性,内部自动处理刷新操作,对外呈现为标准SRAM接口,极大简化了系统内存设计。器件工作在1.7V至1.95V的低电压范围,并支持-30°C至85°C的工业级温度,采用54-VFBGA小型化封装,适用于空间和功耗受限的嵌入式及工业电子设备。

  • 制造商产品型号:MT45W4MW16BBB-706 L WT TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC PSRAM 64MBIT PARALLEL 54VFBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:停产
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:PSRAM
  • 技术:PSRAM(伪 SRAM)
  • 存储容量:64Mb(4M x 16)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:-
  • 写周期时间-字,页:70ns
  • 访问时间:70ns
  • 电压-供电:1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度:-30°C ~ 85°C(TC)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:54-VFBGA
  • 想获取MT45W4MW16BBB-706 L WT TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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