MT29F256G08CKCBBH2-10:B

MT29F256G08CKCBBH2-10:B是美光科技生产的一款256Gb容量、并行接口的NAND闪存芯片。它采用MLC技术，以32G x 8的内部结构组织，在2.7V至3.6V的宽电压范围内工作，并支持高达100MHz的时钟频率，旨在满足需要高速数据读写和大容量非易失存储的应用需求。

该器件采用100-TBGA表面贴装封装，工作温度范围为0°C至70°C，具有良好的板级集成适应性。其并联接口设计优化了大数据块的传输效率，适用于对存储带宽有较高要求的嵌入式系统与工业设备，为数据缓存、程序存储等关键功能提供硬件支持。

• 制造商产品型号：MT29F256G08CKCBBH2-10:B
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 256GBIT PAR 100TBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：托盘
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：256Gb（32G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：100MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：100-TBGA
• 想获取MT29F256G08CKCBBH2-10:B的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料