MT41K512M8RH-125 V:E 是美光科技生产的一款4Gb容量DDR3L SDRAM存储器。该芯片采用512M x 8位的组织架构和并行接口，封装于78-TFBGA中，适用于表面贴装。
其核心优势在于低电压操作（1.283V~1.45V）与高性能的结合，支持800MHz时钟频率，实现高达1600MT/s的数据传输率，同时显著降低系统功耗。13.75ns的访问时间保障了快速响应。
该器件主要面向对功耗敏感且需一定内存带宽的嵌入式应用，如网络设备、工业控制系统及消费电子等，提供了可靠的高密度存储解决方案。
- 型号:MT41K512M8RH-125 V:E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:78-FBGA（9x10.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3L
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:512M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:800 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:13.75 ns
- 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:78-TFBGA
- 供应商器件封装:78-FBGA（9x10.5）
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