MT44K32M18RB-107E IT:B TR

MT44K32M18RB-107E IT:B TR是美光科技推出的一款576Mb容量并行DDR4 DRAM芯片，采用32M x 18位组织架构。该器件以933MHz的高时钟频率和8ns的快速访问时间为核心特性，能够为系统提供高带宽、低延迟的数据存取能力。

其工作电压范围为1.28V至1.42V，在宽温范围（-40°C至95°C）内保持稳定运行，兼顾了性能与能效。采用168-TBGA表面贴装封装，适用于需要高速数据缓冲和处理的网络设备、工业控制及嵌入式系统等应用场景。

• 型号:MT44K32M18RB-107E IT:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:168-BGA（13.5x13.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PAR 168BGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:32M x 18
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:933 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:8 ns
• 电压 - 供电:1.28V ~ 1.42V
• 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:168-TBGA
• 供应商器件封装:168-BGA（13.5x13.5）
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