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MICRON
MT36HTS51272FY-667A2E3的图片

MT36HTS51272FY-667A2E3

美光(MICRON)图标
存储器 - 模块
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:MODULE DDR2 4GB 240FBDIMM
原厂封装:240-FBDIMM
优势价格,MT36HTS51272FY-667A2E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT36HTS51272FY-667A2E3的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT36HTS51272FY-667A2E3是美光科技生产的一款4GB容量DDR2 SDRAM全缓冲内存模组(FBDIMM),采用240针封装。该模组运行速度为667MT/s,专为需要高可靠性和大内存带宽的企业级计算平台设计。

其核心优势在于全缓冲架构,通过集成的先进内存缓冲器(AMB)提升信号完整性,支持多模组扩展的同时降低主板设计复杂度。模组提供ECC错误校验功能,确保在服务器、数据中心等关键任务环境中实现持续稳定的数据访问与处理。

  • Micron美光半导体完整型号: MT36HTS51272FY-667A2E3
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 功能总体简述: MODULE DDR2 4GB 240FBDIMM
  • 系列: -
  • 存储器类型: DDR2 SDRAM
  • 存储容量: 4GB
  • 速度: 667MT/s
  • 封装/外壳: 240-FBDIMM
  • 想获取MT36HTS51272FY-667A2E3的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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