MT29F2G08ABAFAH4-S:F是美光科技生产的一款2Gb（256M x 8）NAND闪存芯片，采用异步并行接口和63-VFBGA封装。其核心特性包括2.7V至3.6V的宽电压供电范围，以及0°C至70°C的商业级工作温度，适用于表面贴装设计。
该器件提供标准的页编程、块擦除和随机读取功能，接口控制信号完备，符合主流NAND闪存操作协议。其2Gb容量组织为每页2KB，适合需要中等密度非易失存储的嵌入式应用，如网络设备、消费电子和工业控制系统。
- 型号:MT29F2G08ABAFAH4-S:F
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA（9x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:2Gb
- 存储器组织:256M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-VFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
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