MT53D512M32D2NP-046 WT ES:E

MT53D512M32D2NP-046 WT ES:E是美光科技生产的一款16Gb容量、采用移动LPDDR4标准的易失性存储器（DRAM）。该芯片采用512M x 32的存储单元架构，在1.1V的低工作电压下，实现了高达2133MHz的时钟频率，为系统提供了高带宽与低功耗的核心优势。

其设计面向表面贴装应用，采用200-WFBGA紧凑型封装，工作温度范围宽达-30°C至85°C（TC），确保了在各类移动和嵌入式环境中的稳定运行。这款芯片适用于需要高性能内存解决方案的便携式电子设备及工业系统。

• 型号:MT53D512M32D2NP-046 WT ES:E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:200-WFBGA（10x14.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 16GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量:16Gb
• 存储器组织:512M x 32
• 存储器接口:-
• 时钟频率:2.133 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.1V
• 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:200-WFBGA
• 供应商器件封装:200-WFBGA（10x14.5）
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