MT41K512M8DA-093:P TR是美光科技推出的一款4Gb容量、并行接口的DDR3L SDRAM。该器件采用512M x 8的存储组织架构，支持高达1.066GHz（DDR3-2133）的时钟频率，能够提供出色的数据传输带宽，满足高性能计算与数据处理的需求。
其核心优势在于采用了低电压技术，标准工作电压为1.35V（范围1.283V~1.45V），相比传统DDR3显著降低了功耗。同时，器件具备20ns的快速访问时间和0°C至95°C的宽工作温度范围，确保了在苛刻环境下的可靠性与响应速度。其78-TFBGA小型化封装适合空间受限的嵌入式设计与表面贴装生产。
- 型号:MT41K512M8DA-093:P TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:78-FBGA（8x10.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:最后售卖
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3L
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:512M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:1.066 GHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:20 ns
- 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:78-TFBGA
- 供应商器件封装:78-FBGA（8x10.5）
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